高温ゲートバイアス試験（HTGB：High Temperature Gate Bias Test）は、半導体デバイスのゲート絶縁膜の信頼性を評価するための重要な試験です。

この試験では、デバイスを高温環境下に置きながら、ゲート端子とソース端子の間に一定の直流バイアス電圧を印加し続けます。これにより、絶縁膜に対して電気的・熱的なストレスを同時に与え、長期使用時に絶縁破壊や特性の劣化が起こらないかを確認します。

試験の目的はゲート絶縁膜の耐久性や安定性を評価し、初期の潜在的な欠陥を見つけることにあります。特にSiCなどのパワー半導体ではゲート酸化膜の品質がデバイスの寿命や性能に直結するため、この試験は非常に重要です。