半導体デバイスに過電圧や過電流などのストレスを与えた際に、異常な電流が流れ続ける「ラッチアップ」が発生しないかを評価する試験です。

規定の条件で電圧・電流などを印加し、ラッチアップの発生有無やデバイスの耐性を確認します。

ICや半導体デバイスの信頼性・耐性を評価するために用いられます。